ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理

作者：李金钗; 朱昱; 卢红兵; 田玉zno纳米杆可控生长电化学沉积缓冲层

摘要：以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm^2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107 mm^-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度（0.4～0.9 mA/cm^2）或逐渐减小电流密度（0.9～0.4 mA/cm^2）分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.

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