作者：马春玲宽禁带半导体氮化镓impatt
摘要：基于宽禁带半导体氮化镓材料，设计了传统的高一低结构的碰撞电离雪崩渡越时间（IMPATT）二极管，并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz，输出功率为1．94W，直流-射频转换效率达到17．2％，结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《潍坊学院学报》（CN：37-1375/Z）是一本有较高学术价值的双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《潍坊学院学报》坚持四项基本原则，坚持“双百”方针，积极开展社会科学和自然科学领域的教学及科学研究。
省级期刊
人气 238527 评论 36
人气 154216 评论 33
人气 151895 评论 53
人气 123123 评论 54
