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基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器

作者:胡俊; 陈晓娟超宽带功率放大器混合集成gaas

摘要:基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款可以应用于超高频(VHF)和甚高频(UHF)的超宽带功率放大器.该功放工作在AB类,由上下两条对称支路构成.输出电路采用T型结合成技术,在片外使用罗杰斯4350B高速印刷电路板(PCB)制作.最后在先进设计系统软件(ADS)里进行芯片和PCB板的联合仿真.仿真结果显示:此款功放的工作带宽是30MHz-3GHz,带宽超过6个倍频程.在整个频带内,小信号增益在21dB±0.3dB之间,输入输出回路损耗基本在-10dB以下.连续波测量下,饱和输出功率在30.9dBm±O.5dB之间,功率附加效率(PAE)在17.7%~14.0%之间.

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微电子学与计算机

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