作者：郑宏超; 岳素格; 王亮; 简贵胄; 初飞asicsramseumbist
摘要：本文提出了利用存储器内建自测试（MBIST）进行专用集成电路（ASIC）内部存储器的单粒子翻转（SEU）检测方法,研究并制定了MBIST的单粒子有效性辐照注量的统计方案,最后在重离子加速器上应用该方法进行了单粒子试验验证.通过与相同结构的存储器SEU结果的对比分析,结果表明,MBIST在有效辐照注量（1.27E＋7icons/cm2）下,与存储器在标准辐照注量（1E＋7icons/cm2）下获得的SEU在轨错误率误差小于2倍,运用MBIST方法可以方便、准确地用于评估ASIC的存储器SEU性能指标.
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