作者：沈伟星; 冉峰; 程东方; 徐志平功率沟槽mosfet通态电阻工艺模拟器件模拟
摘要：利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI，研究了工艺参数对DC—DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化，指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd，提高器件综合性能的途径。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《微电子学与计算机》（CN：61-1123/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学与计算机》是中国计算机学会会刊，本刊的宗旨是，严谨认真，求实创新；以人为本，研以致用；弘扬科学，追求真理。本刊国内公开发行，面向科研院所，厂矿技术人员、院校师生和管理人员，及时提供国内微电子与计算机行业最新科研成果。
部级期刊
人气 230975 评论 65
人气 216794 评论 35
省级期刊
人气 214075 评论 71
北大期刊、统计源期刊
人气 193667 评论 73
