作者:蔡伟; 陆铁军; 王宗民带隙基准横向pnp管失调电压电流失配
摘要:基于横向寄生PNP管,提出了一种新颖结构的低失调CMOS带腺基准源。该带隙能够降低运放失调电压和镜像电流对基准电压的影响.提高带腺抗工艺失调的能力。仿真结果表明,基准电压为1.2280V,在—40℃~125℃.典型偏差小于2.7mV,温度系数为13.9ppm/℃。该带腺具有较好的工艺稳定性,在各工艺角情况下,失调电压小于±25.3mV.比传统带腺相对精度提高了3.3倍。最后,基于0.35μm CMOS工艺实现了该电压基准源。
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