作者:刘岩; 候朝焕多端口单位线sram电流模式
摘要:文章详细描述了二种采用0.18μm CMOS工艺的多端口单位线SRAM设计方法。与传统的6TSRAM结构相比,在写数据时增加了写节点充电信号,降低了内核CMOS器件设计的复杂度;在读数据时增加了额外的读位线放电电路,减少了读数据延迟;同时读写数据均采用电流模式。降低功耗,较好的解决了多端口SRAM存取数据时存在的问题。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《微电子学与计算机》(CN:61-1123/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学与计算机》是中国计算机学会会刊,本刊的宗旨是,严谨认真,求实创新;以人为本,研以致用;弘扬科学,追求真理。本刊国内公开发行,面向科研院所,厂矿技术人员、院校师生和管理人员,及时提供国内微电子与计算机行业最新科研成果。
部级期刊
人气 230388 评论 65
人气 215069 评论 35
省级期刊
人气 213322 评论 71
北大期刊、统计源期刊
人气 193088 评论 73