作者：杨波; 杨潇楠; 陈磊; 陈瑞博; 李浩亮静电放电维持电压lvtscr闩锁效应tcad仿真
摘要：传统LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断。为了提高传统LVTSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,提出一种内嵌P型浅阱的新型LVTSCR(EP-LVTSCR)。采用Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试。结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统LVTSCR的1.52 V提升到3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于3.3 V电源的ESD防护。
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