作者：王瑄; 王卫东低压差线性稳压器翻转电压跟随器瞬态响应无片外电容
摘要：提出了一种基于翻转电压跟随器(FVF)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用电压检测器来检测输出电压,大幅改善了瞬态响应,克服了常规LDO面积大、需要使用片内大电容的缺点,仅消耗了额外的静态电流。该LDO采用90nm CMOS工艺进行设计与仿真,面积为0.009 6mm^2,输入电压为1.2V,压差为200mV。结果表明,在50pF负载电容、3~100mA负载电流、300ns跃迁时间的条件下,产生的上冲电压为65mV,瞬态恢复时间为1μs,产生下冲电压为89mV,瞬态恢复时间为1.4μs,且将负载调整率性能改善到0.02mV/mA。
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