作者：王志鹏; 孙浩; 刘艳艳; 关鸿; 周曙光; 朱...低噪声放大器全球定位系统单片噪声系数
摘要：基于130nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3V电源电压、1.575GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49dB,增益为13.7dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15dB,输入P1dB为-13dBm,IIP3为-0.34dBm。
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