作者：冯霞; 张霞闩锁深槽bicmos
摘要：相比于P＋衬底CMOS工艺,P-衬底0.35μm BiCMOS工艺中CMOS管的抗闩锁性能更差。为了提高CMOS管的抗闩锁性能,利用光触发方式,基于Medici器件,仿真研究了BiCMOS工艺中深槽对CMOS管闩锁性能的影响。结果表明,深槽可以提高CMOS管的抗闩锁性能。在光触发脉冲宽度为50ns,深槽深度为3、5、7μm时,深槽BiCMOS工艺中CMOS管的闩锁触发电流分别是无深槽BiCMOS工艺中CMOS管的3.13,6.88,11.12倍。
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