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首页 期刊 微电子学 KIO4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响【正文】

KIO4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响

作者:杜义琛; 王辰伟; 周建伟; 张文倩; 季军; ...高碘酸钾盐酸胍cmp电化学抛光液

摘要:使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结果表明,随着GH浓度的升高,Ru和Cu的抛光速率逐步降低,并且达到良好的速率选择比。

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微电子学

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