作者：庞东伟; 陈涛; 施雨; 桑磊; 陶小辉; 曹锐sige最小噪声系数最大可用增益共源共栅
摘要：基于IBM8HP 120nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性。采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种频带为90100GHz的低噪声放大器（LNA）。详细分析了Cascode放大器潜在的自激可能性,采用串联小电阻的方式消除不稳定性。与电磁仿真软件Sonnet联合仿真,结果表明,在频带内,放大器的输入反射系数S11〈-18dB,输出反射系数S22〈-12dB;在94GHz处,噪声系数为8dB,增益为14.75dB,输出1dB压缩点功率为-7.9dBm;在1.8V供电电压下,整个电路的功耗为14.42mW。该放大器具有低噪声、低功耗的特点。
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