作者：居水荣; 朱晓宇; 刘锡锋; 石径带隙基准源高阶温度补偿分段二次补偿电源抑制比熔丝调节
摘要：分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900mV。在-40℃125℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃。低频时,电源抑制比达-109dB。
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