作者：岳宏卫; 邓进丽; 朱智勇; 段吉海; 韦雪明亚阈值区高精度高电源电压抑制比超低功耗低温漂
摘要：提出了一种超低功耗、无BJT的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源。采用正负温度系数电流求和的方式来获得与温度无关的电流,再转换成基准电压;采用共源共栅电流镜来提高电源电压抑制比和电压调整率。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果表明,在-20℃～135℃温度范围内,温漂系数为2.97×10^-5/℃;在0.9～3.3V电源电压范围内,电压调整率为0.089%;在频率为100Hz时,电源电压抑制比为-74dB,电路功耗仅有230nW。
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