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一种SiGe BiCMOS 3级级联60GHz LNA

作者:王巍; 胡凤; 鲍孝圆; 黄孟佳; 杨皓; 杨正...低噪声放大器噪声系数60ghz

摘要:基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60GHz低噪声放大器。级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响。在3.3V供电电压下,60GHz频率处的功率增益S21达到21.8dB,噪声系数NF为6.1dB;在58-65GHz频段内,输入和输出反射系数S11和S22均小于-10dB。

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微电子学

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