作者：朱智勇; 段吉海; 邓进丽; 韦雪明; 向指航亚阈值区超低功耗低温漂电源电压抑制比
摘要：设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V MOS管与3.3V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,在-30℃~125℃温度范围内,温漂系数为9.3×10-6/℃;电源电压为0.8~3.3V时,电压调整率为0.16%,电源电压抑制比为-58.2dB@100 Hz,电路功耗仅为109nW,芯片面积为0.01mm2。
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