作者：管婕; 翟阳; 闫大为; 罗俊; 肖少庆; 顾晓...组份渐变电子阻挡层空穴注入效率
摘要：利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层（EBL）对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表明,三角形组份渐变EBL结构显著提高了导带底的电子势垒,可有效限制电子向P型GaN层的泄露,同时减小了价带顶的空穴势垒,可增强P型GaN层的空穴向有源区的注入效率,改善其在量子阱内的浓度分布。
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