作者：唐俊龙; 周斌腾; 谢海情; 肖正; 曾承伟; ...基准电流源低温漂低功耗低电源电压调整率
摘要：利用NMOS管在亚阈值区、线性区和饱和区不同的导电特性,产生正温度系数电流;多晶硅高阻与N阱电阻组成串联电阻,代替线性区的NMOS管,产生与正温度系数电流互补的负温度系数电流。采用自偏置共源共栅电流镜结构,提出一种无运算放大器和三极管的求和型CMOS基准电流源。基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,完成设计与仿真。结果表明,在-40℃～100℃的温度范围内,电流变化为2.4nA,温度系数为7.49×10^（-6）/℃;在3.0～5.5V的电压范围内,电源电压线性调整率为3.096nA/V;在5V工作电压下,输出基准电流为2.301μA,电路功耗为0.08mW,低频时电源电压抑制比为-57.47dB。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
