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首页 期刊 微电子学 铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究【正文】

铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究

作者:姚瑞楠 刘玉奎 崔伟半导体工艺铬硅电阻退火条件温度系数

摘要:分析了CrSi薄膜电阻阻值的变化机理,并以此作为理论指导,开展退火工艺条件对铬硅薄膜电阻稳定性影响的实验,得到优化的退火工艺条件,可以使铬硅薄膜电阻的温度系数减小到土0.0001℃左右,大大提高了铬硅薄膜电阻的稳定性。

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微电子学

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