作者：刘莉 杨银堂 柴常春siccmos运算放大器零温度系数
摘要：设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器。根据所希望的IDSat，（ZTC）和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路；输入采用差分输入，同时按照泄漏电流匹配的原则，合理选取Damp的面积。Si M（）S器件电源电压为5V，采用TSMC0．25μm工艺制作。当温度从300K变化到600K时，SiC运放的增益和相位裕度的变化率分别为2．5％和3．3％，而Si电路的增益从300K的64dB降到-80dB，失去电路的稳定性。但是，由于SiC MoS器件沟道迁移率低，导致器件的跨导低于相同尺寸下的Si器件，所以其开环增益也小于相同结构和尺寸的Si运算放大器。
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