作者：李梅芝; 陈星弼栅压ldmos功率密度
摘要：研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区，栅压对器件内部温度的影响。结果表明，有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加，证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力。
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《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学》报道内容有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。
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