作者：孔晓彬; 胡海波; 吴明远; 张明过采样带隙基准源电源抑制比
摘要：Σ-Δ A/D转换器需要一个基准电压作为参照进行模/数转换,因此,基准电压上的任何变化都会直接影响到A/D转换的结果.文章推导分析了基准电压的DC及AC波动对Σ-Δ A/D转换结果的影响机制,并用一个三阶Σ-Δ A/D转换器实例,在Matlab仿真环境中验证了分析结果.文章的结论可用于指导Σ-Δ A/D转换器芯片中带隙基准源模块的电源抑制比设计.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学》报道内容有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。
省级期刊
人气 285
