作者：潘飞蹊; 俞铁刚; 郭超; 陈卫东带隙基准源过温保护共栅共源结构
摘要：设计了一种适用于P阱CMOS工艺的高精度带隙基准源及过温保护电路.基准源信号输出由两路电流相加实现:一路是正比于双极晶体管的发射极-基极电压的电流(IVBE),另一路是基准源内产生的正比于绝对温度的电流(IPTAT);同时,利用这两路电流的不同温度特性,通过直接电流比较的方法,简单地实现了高精度的过温保护电路.
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