作者：李俊宏cmos混频器spice仿真闪烁噪声寄生电容噪声增益
摘要：根据Hspice仿真结果,分析了CMOS集成混频器中场效应管的闪烁噪声和寄生电容产生输出噪声的详细过程.通过改变电路仿真参数,得出相应的仿真数据,结合理论模型对实验数据进行了分析.结果表明,由闪烁噪声引起的直接开关噪声增益随本振幅度递减,由寄生电容引起的间接开关噪声增益随寄生电容值和本振频率递增.
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