作者：方圆; 李伟华; 钱莉双极工艺多面栅mosfet三维集成集成电路
摘要：提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺.应用此项技术能够方便地形成双栅、三栅以及围栅等各种多面栅结构;同时,应用体迁移进行载流子传输的纵向结构能够显著地改善MOS器件的性能,立体结构更为三维集成提供了发展的基础.工艺模拟证明了该结构的可行性,文中还对实际生产中应注意的一些非理想情况进行了预测和分析.
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《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学》报道内容有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。
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