作者：孙智林; 孙伟锋; 易扬波; 陆生礼ldmosfet漂移区击穿电压导通电阻长度结深浓度灵敏度
摘要：高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响.根据分析结果,提出了一种改进方案.模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上.
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《微电子学》（CN：50-1090/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子学》报道内容有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。
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