作者:吴晗; 周全; 王俊; 张黎脉冲磁场初生mg2si相梯度材料
摘要:研究了脉冲磁场参数和冷却条件对Mg2Si/Al复合材料中初生Mg2Si相尺寸、形态及分布的影响。结果表明,在脉冲磁场作用下,初生Mg2Si相表现为粗化、偏聚及梯度分布。在多数试验条件下,初生Mg2Si相沿试样心部到边部体积分数总体上逐渐增加,可制备初生Mg2Si相呈连续变化的梯度材料;当脉冲电压为100V,脉冲频率为10Hz或模具温度为400℃时,试样中心区域基本不含初生Mg2Si相,Mg2Si相主要分布在试样边部,可制备表面增强自生梯度复合材料。在0-300V范围内,随着脉冲电压增加,初生Mg2Si相的尺寸先增大后减小,转折点为200V;当浇注温度在670-760℃范围内或模具温度在200-600℃范围内,随着浇注温度的增加或模具温度的降低,初生Mg2Si相的尺寸逐渐减小。
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