作者：尹路 王戈 张琳琳 梁海峰 郭天文纯ti磁控溅射镀膜tisin光固化冠桥树脂结合强度
摘要：在纯Ti表面磁控溅射镀制不同Si含量的TiSiN膜后，比较与Solidex的结合强度并对界面进行分析。试验采用3组纯Ti试件，一组表面不作处理，另两组应用磁控溅射设备镀制不同si含量的TiSiN膜后烤塑，采用AGS万能材料试验机测试纯Ti与Solidex的结合强度，并应用电子探针显微分析仪观察分析镀膜层-树脂界面。经方差分析显示，镀膜组结合强度优于未镀膜组，镀膜组中提高si含量增加了结合强度，镀膜组中形成致密非晶态TiN、SiNx，它填补了金属基底与Solidex烤塑专用树脂可能存在的空隙，有助于阻止金属离子渗出。
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