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硅锗等离子体起辉的瞬态不稳定性研究

作者:胡瑞丹; 王光红; 赵雷; 王革; 刁宏伟; 王...光发射谱瞬态不稳定性反扩散氢气流量

摘要:利用光发射谱(OES)监测技术对氢气(H2)、硅烷(SiH4)、锗烷(GeH4)等离子体的起辉稳定时间进行瞬态在线原位监测,探索功率及压强对等离子体起辉稳定时间的影响规律。结果表明,功率对等离子体的起辉稳定性影响较大,即相比于较小功率,在较大功率下起辉时,等离子体需要长很多的时间才能达到稳定状态。但随着功率的增大,气压对起辉稳定性的影响逐渐变得明显。分析认为这种等离子体的起辉不稳定性主要是由硅烷(SiH4)、锗烷(GeH4)等气体的反扩散所造成,并进一步发现通过增加氢气流量,可有效降低SiH4等气体的反扩散程度,缩短硅锗等离子体达稳定状态所需的时间。

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