作者：蔡文必 毕京锋 林桂江 刘冠洲 刘建庆 宋...太阳电池隧穿结聚光光伏
摘要：利用MOCVD设备进行倒装多结III—V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析，结果表明样品晶格质量较高，晶格匹配度良好；通过芯片工艺后，获得所需太阳电池片，I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂是影响隧穿效应的重要因素。在隧穿结区厚度为40nm时掺杂浓度P型高达7×1019cm-3，n型高达3×1019cm-3条件下，隧穿结峰值电流能满足1000倍聚光条件下大隧穿电流的要求。在未蒸镀减反射层时，AMl．5D、1000倍聚光、25℃、low—AOD条件下，测得倒装双结太阳电池的Voc=2．776V，Isc=10．63A，FF=82．4％，Eff=24．27％。
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