背腐蚀法分离p-n结的研究

作者：刘志刚; 孙铁囤; 苦史伟; 罗培青; 姜维; ...背腐蚀光生电动势能带

摘要：采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结，用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化，对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较，用能带理论对其差别做了深入的解释。

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