作者：张丽新; 何松质子辐照甲基硅橡胶电性能微观结构
摘要：利用空间辐照环境模拟设备对甲基硅橡胶进行了质子辐照试验.辐照能量为150keV,辐照剂量范围为1014～1016cm-2.对辐照后样品进行了电子自旋共振(ESR)分析和电性能测试.研究发现,当质子辐照剂量小于1015cm-2时,交流击穿电压上升,体积电阻率、介电常数及介电损耗角正切无明显变化.当质子辐照剂量大于1015cm-2后,体积电阻率及交流击穿电压下降,介电常数及介电损耗角正切上升.残存自由基和微观结构的变化是引起电性能改变的主要原因.
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