高光电导增益氮化碳薄膜制备方法

氮化碳薄膜制备方法光电导氮离子束溅射工艺工作气体高纯氮气半导体材料高纯石墨工作气压

摘要：一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，以高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10^-2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社