作者：陈云生（译）; 徐任学（校）多晶硅太阳电池半导体量子点薄膜太阳电池半导体基片电场作用制造成本cdtepn结开发
摘要：1 前言第三代太阳电池的开发 太阳电池,主要是由做在半导体基片上的pn结组成.如图1所示若在pn结处射入太阳光,则在半导体内部激发出电子-空穴对,在内部电场作用下,电子向n侧.空穴向p侧迅速流动,产生光生电功率.现在广泛使用的是厚度200～350μm的单晶硅,及用铸造法制作的多晶硅太阳电池.最近为了降低硅太阳电池的制造成本,开发了薄膜太阳电池.在薄膜太阳电池的情形下由于光吸收层的厚度仅为0.2～3μm左右,使用的材料大大减少.现在还在开发非晶硅、微结晶硅、CdTe、Cu(InGa)、Se2(CIGS)等太阳电池.
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