作者：史继祥; 韩焕鹏宽面拉晶速率初始埚位
摘要：探究了影响偏离〈111〉晶向硅单晶晶体宽面的主要工艺因素,通过不同的晶体生长工艺参数设定来进行〈111〉晶向硅单晶生长试验,通过对比不同工艺参数对晶体宽面的影响,最终确定了控制单晶宽面的最优工艺,获得了外形大幅优化的〈111〉晶向硅单晶.
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