作者：刘帅; 蔡道民; 武继斌gan高电子迁移率晶体管高功率放大器宽带功率附加效率
摘要：基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(MMIC)放大器。芯片测试结果表明,在4~8 GHz频率范围内,漏极电压28 V,连续波条件下,放大器的小信号增益大于30 dB,大信号增益大于23 dB,饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率为38%~45%。该单片放大器芯片尺寸为3.6 mm×4.0 mm。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《太赫兹科学与电子信息学报》（CN：51-1746/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《太赫兹科学与电子信息学报》刊登的主要内容包括太赫兹科学技术、探测制导、测控通信与电子对抗、电磁场与微波、信号与信息处理、计算机与控制、微电子、微系统与物理电子学等、太赫兹科学技术包括太赫兹产生、放大、传输、检测等理论与技术，以及太赫兹在光谱学、通信、雷达、成像、材料检测、天文学、空间科学、生物医学等领域的应用技术等。
杂志详情
