作者：陈月盈; 方圆; 李富强延时器砷化镓超宽带微波单片集成电路
摘要：研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAsPHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17GHz范围内,延时调节范围为10~630ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8ps,全态插入损耗小于22dB,插损波动小于±1dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0mm×2.6mm×0.07mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。
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