作者：李飞; 钟世昌自偏压内匹配
摘要：介绍了一款L波段自偏压内匹配功率放大器。器件采用0.25μm工艺GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,内匹配技术对单胞管芯进行输入输出匹配,放大器的工作频带范围为1.2~1.4GHz。采用自偏压技术,单电源供电,使电路更为简洁,使用方便。工作电压为28V,占空比为10%,脉宽为300μs,在输入功率为26dBm时,频带内输出功率在40dBm以上,功率附加效率大于60%,充分显示了GaN功率器件在单电源模块中的性能优势。
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《太赫兹科学与电子信息学报》（CN：51-1746/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《太赫兹科学与电子信息学报》刊登的主要内容包括太赫兹科学技术、探测制导、测控通信与电子对抗、电磁场与微波、信号与信息处理、计算机与控制、微电子、微系统与物理电子学等、太赫兹科学技术包括太赫兹产生、放大、传输、检测等理论与技术，以及太赫兹在光谱学、通信、雷达、成像、材料检测、天文学、空间科学、生物医学等领域的应用技术等。
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