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一维均匀掺杂突变PN结伽马剂量率辐射解析模型

作者:赵珩尧; 黄清华; 代刚; 李顺; 梁堃pn结剂量率光电流解析解计算机辅助设计技术模型

摘要:研究硅基半导体集成电路最基本结构之一PN结的伽马剂量率辐射模型,阐明PN剂量率辐射模型的重要意义。根据半导体物理基本方程,推导计算出在剂量率辐射下一维均匀掺杂突变PN结光电流响应的解析解模型,根据解析解,在不同参数下用Mathematica作图观察,并与计算机辅助设计技术(TCAD)数值模拟仿真结果对比,验证解析解的正确性;最后基于解析解,通过分析剂量率、偏压、PN结几何尺寸、掺杂浓度、载流子扩散系数、少子寿命等参数对稳态光电流的影响,提出一个更方便工程计算的稳态光电流模型。

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太赫兹科学与电子信息学报

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