作者：江福兰; 汪鹏彬; 江向平铋层状结构压电陶瓷光致发光介电性
摘要：采用固相法制备Ho^3+离子掺杂铋层状结构Na0.5Bi8.5-xHoxTi7O27(NBT-BIT-xHo^3+,0≤x≤0.02),研究了不同Ho^3+含量对样品的结构、电学与上转换发光性能的影响。所有样品均为单相的共生结构,Ho^3+掺杂未引入其他杂相;适量Ho^3+离子掺杂使样品的居里温度升高、介电损耗降低、压电常数d33得到提高;当x=0.01时,样品具有最佳的综合电学性能,介电损耗tanδ=0.78%、压电性能d33=21pC/N、Qm=2887。在980 nm的红外激光对NBT-BIT-xHo^3+陶瓷的激发下,从所有样品的上转换发光图谱可以观测到位于550 nm附近较强的绿光和657 nm附近较为微弱的红光,对应于^5S2/^5F4→^5I8和^5F5→^5I8的跃迁。随着Ho^3+离子浓度的增加,样品的发光颜色从黄绿色向绿色转变。
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