作者：程丽红; Slavko; Bernik; Matejka; Podlo...zno压敏显微结构电性能
摘要：采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备了相同Bi_2O_3含量、Sb_2O_3/Bi_2O_3比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷,研究在800℃-950℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的显微结构与电性能的影响。显微结构分析表明,烧结过程中足够的Bi_2O_3液相有利于烧结,而且能够促进晶粒内含反演边界（Inversion Boundary）的ZnO晶粒的长大。烧成的样品具有发育良好的显微结构：高的致密度、均匀的含Bi第二相分布以及粒径,而且电性能良好：压敏电压327-670 V/mm,非线性系数20-31,漏电流低于0.5μA。Sb_2O_3含量较高的样品,晶粒尺寸较小,压敏电压和非线性系数较大,漏电流较小。研究还发现,ZnO晶粒尺寸以受两步烧结制度里占主要的烧结过程的影响为主。研究结果表明：与传统的1000℃以上烧结相比,合理的配方是保证在800℃-950℃区间内烧结获得综合性能良好的压敏陶瓷样品的关键。
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