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Se位掺杂对燃烧合成Cu2SnSe3热电性能的影响

作者:马瑞; 李宇洋; 刘光华; 李江涛; 韩叶茂; ...热电性能cu2snse3燃烧合成se位掺杂

摘要:Cu2SnSe3是一种不含稀贵或有毒元素的新型热电材料,具有较低的热导率和较高的电导率,通过掺杂可大大提高Cu2SnSe3的热电优值,使其有望在中温区附近得到应用。通过燃烧合成直接一步制备出致密的Cu2SnSe3块体材料,其相对密度在96%以上,最大热电优值为0.48,与传统烧结工艺制备的样品性能相当,整个反应过程在数分钟内即迅速完成,从而极大的简化了合成工艺。为进一步提高Cu2SnSe3材料的热电性能,本文利用燃烧合成方法制备多晶块体材料,采用S、Te两种元素对Cu2SnSe3进行掺杂,系统研究了掺杂对热电性能的影响。结果表明,S、Te两种元素的Se位掺杂提高了Seebeck系数,降低了热导率和电导率,最终使热电优值有所提升。S掺杂Cu2SnSxSe3-x样品中,当x=0.15时在温度773K下取得最大ZT值为0.66。Te掺杂Cu2SnTexSe3-x样品中,当x=0.05时在温度773K下取得最大ZT值为0.40。

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陶瓷学报

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