作者：邓启煌; 沈祥风; 韩斌; 都时禹; 丁志辉; ...alon粉体碳热还原氮化合成
摘要：以α-Al2O3、γ-Al2O3和活性碳为原料,采用高温碳热还原氮化在氮气保护气氛下常压合成了Al ON粉体。并探讨了氧化铝晶型、氧化铝和碳粉的配比、合成温度、保温时间等工艺条件对合成Al ON粉体纯度的影响,通过对合成粉料的XRD、SEM分析,发现Al ON的在低于1900℃下烧结存在氧化铝和氮化铝杂质,并且在1900℃,保温2 h能够得到晶形发育完善、粒度均匀、纯度高的Al ON粉体。当碳含量为5.6%时,氮气流量为4 L/min,制备得到纯度达98%以上的Al ON粉体;通过对比γ-Al2O3和α-Al2O3,发现γ-Al2O3晶型更有利于Al ON粉体的形成。
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