作者：谈国强; 贺中亮; 刘剑; 博海洋; 宋亚玉; ...hfo2薄膜研究进展
摘要：随着集成电路的迅速发展。高K值栅介质材料将成为下一代MOS器件最具有希望的候选材料。HfO2具有宽带隙和高介电常数而备受关注。本文简述了HfO2薄膜的制备方法及研究进展。
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