作者：刘春侠; 赵俊国; 张治平; 王文武窑具材料碳化硅氮化物性能研究抗氧化性si3n4sic对比研究氧化温度显气孔率氮化硅
摘要：在不同氧化温度下(1 150～1 450 ℃)对氮化物(Si2N2O)结合碳化硅(SiC)与氮化硅(Si3N4)结合碳化硅(SiC)两种氮化物结合SiC窑具材料的抗氧化性进行了对比研究.结果表明:在显气孔率与氧化面积相近的情况下,Si2N2O结合SiC材料低温下(＜1 250 ℃)具有较好的抗氧化性,而Si3N4结合SiC材料高温下(≥1 250 ℃)具有较好的抗氧化性.
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