美国首获亚纳米级孔隙三维图像

三维图像纳米级美国集成电路设计半导体制造成像技术研究人员二氧化硅

摘要：美国半导体研究公司与康耐尔大学研究人员利用电子断层成像技术首次获得亚纳米级孔隙三维图像。这项成果表明低介电常数材料（可取代二氧化硅用于半导体制造）三维孔隙结构的研究开始逼近原子级别，将对未来集成电路设计产生深远的影响，使得集成电路性能不断提高的同时，能耗降低成为可能。

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