作者：杨彦伟sio2膜层湿氧退火淀积速率
摘要：本文主要通过对PECVD淀积SiO2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析，并通过具体的工艺试验，最终得出了运用建中L42812-1／ZM型平板单室PECVD淀积生长速率低于100A／min的致密SiO2膜层的最佳工艺条件。
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