Gd4(Bi,Ge)3化合物的室温磁熵变效应

作者：朱宇涛; 马春兰; 姚金雷磁卡效应磁熵变稀土化合物标度假设临界行为

摘要：通过电弧熔炼和随后的退火处理制备出单相多晶化合物Gd4Bi3-xGex(x=0,1和2)。Gd4Bi3-xGex的晶体结构为反Th3P4型,空间群为I-43d。晶胞参数a从x=0的0.939 93(2)nm减少到x=2的0.906 97(2)nm。通过Arrott方法得到x=0,1和2的居里温度分别为327、350和296 K。5 T变场下,x=0,1和2的最大磁熵变分别为2.7、2.3和3.4 J·kg^-1·K^-1,相对制冷能力分别为257、184和442 J·kg^-1。居里温度附近的临界磁行为遵循标度理论。居里温度之上和之下的等温磁化曲线可用两个不同的正则函数描述。分析表明,Gd4BiGe2在铁磁-顺磁转变附近的磁行为为平均场下的长程相互作用。

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