作者：顾伟霞; 马锡英接触特性伏安特性
摘要：单层硫化钼（MoS2）因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性。基于p-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度（n-MoS2）和受主掺杂浓度（p-Si）对能带结构和输运特性的影响。研究表明：MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《苏州科技大学学报·自然科学版》（CN：32-1871/N）是一本有较高学术价值的大型季刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《苏州科技大学学报·自然科学版》主要刊登：数学、物理学、理论力学、计算力学、化学、材料科学、生命科学、地理科学、环境科学、计算机科学、信息技术、电子信息科学等自然科学领域内各学科的基础研究、应用研究方面的学术论文。
杂志详情
